N-kanals transistor 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V

N-kanals transistor 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
48.55kr
5-9
42.96kr
10-24
38.34kr
25+
35.57kr
Antal i lager: 37

N-kanals transistor 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 900pF. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 12A. Kanaltyp: N. Kostnad): 90pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 80W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Spec info: Samsung B4054-0018. Td(av): 150 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: V-MOS S-L. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK904
28 parametrar
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
3A
Idss (max)
500uA
Resistans Rds På
4 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
900pF
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
12A
Kanaltyp
N
Kostnad)
90pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
80W
Port-/källspänning Vgs
20V
Spec info
Samsung B4054-0018
Td(av)
150 ns
Td(på)
60 ns
Teknik
V-MOS S-L
Trr-diod (Min.)
400 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt från tillverkaren
Fuji Electric