N-kanals transistor 2SK4013-Q, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.35 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F ( 2-10U1B ). Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1400pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: ja. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Kostnad): 130pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K4013 Q. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 220 ns. Td(på): 80 ns. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOS IV). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25