N-kanals transistor 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-kanals transistor 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
47.24kr
5-24
41.81kr
25-49
35.29kr
50+
31.69kr
Antal i lager: 55

N-kanals transistor 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2400pF. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: ja. Id(imp): 52A. Kanaltyp: N. Kostnad): 220pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K4012. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 95 ns. Td(på): 70 ns. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOS VI). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK4012-Q
29 parametrar
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.33 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
2400pF
Funktion
Byta regulatorapplikationer
G-S Skydd
ja
Id(imp)
52A
Kanaltyp
N
Kostnad)
220pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K4012
Pd (effektförlust, max)
45W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
95 ns
Td(på)
70 ns
Teknik
Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOS VI)
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
1000 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba