N-kanals transistor 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-kanals transistor 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
60.25kr
5-24
53.32kr
25-49
47.02kr
50+
43.00kr
Antal i lager: 90

N-kanals transistor 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.31 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 430pF. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 14.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 60pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K3699. Pd (effektförlust, max): 43W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 32 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: Super FAP-G Series. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK3699-01MR
30 parametrar
ID (T=100°C)
3.7A
ID (T=25°C)
3.7A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
3.31 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
430pF
Funktion
Höghastighetsomkoppling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
14.8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
60pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K3699
Pd (effektförlust, max)
43W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
32 ns
Td(på)
19 ns
Teknik
Super FAP-G Series
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
1us
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fuji Electric