N-kanals transistor 2SK3667, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: ja. Id(imp): 30A. Kanaltyp: N. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K3667. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 150 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25