N-kanals transistor 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

N-kanals transistor 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
30.86kr
5-9
26.64kr
10-24
23.96kr
25-49
22.19kr
50+
19.72kr
Antal i lager: 40

N-kanals transistor 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): SC-67, 2-10U1B. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1500pF. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: ja. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 180pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K3569. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 180 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOSVI). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Vikt: 1.7g. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK3569
32 parametrar
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.54 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
SC-67, 2-10U1B
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1500pF
Funktion
Switching Mode Power Supplies (SMPS)
G-S Skydd
ja
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
180pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K3569
Pd (effektförlust, max)
45W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
180 ns
Td(på)
50 ns
Teknik
Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOSVI)
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
1300 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Vikt
1.7g
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba