| Antal i lager: 69 |
N-kanals transistor 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.61kr
5-24
17.66kr
25-49
15.48kr
50+
14.35kr
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 89 |
N-kanals transistor 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (max): 3.5A. Resistans Rds På: 1.7 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: ja. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K3567. Pd (effektförlust, max): 35W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31
2SK3567
23 parametrar
ID (T=100°C)
3.5A
ID (T=25°C)
3.5A
Idss
100mA
Idss (max)
3.5A
Resistans Rds På
1.7 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
Funktion
Switching Mode Power Supplies (SMPS)
G-S Skydd
ja
Id(imp)
14A
Kanaltyp
N
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K3567
Pd (effektförlust, max)
35W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Teknik
Field Effect (TT-MOSVI)
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba