| Antal i lager: 282 |
N-kanals transistor 2SK3199, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
74.63kr
5-9
69.07kr
10-24
65.17kr
25-49
62.06kr
50+
57.09kr
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen | |
| Slut i lager | |
| Ekvivalens tillgänglig |
N-kanals transistor 2SK3199, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F-3L. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. C(tum): 650pF. Ekvivalenta: FS5KM-10-AW. Funktion: N MOSFET transistor. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kostnad): 250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 30W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 60 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: V-MOS (F). Trr-diod (Min.): 2us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Sanken. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03
2SK3199
26 parametrar
ID (T=25°C)
5A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
1.2 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO220F-3L
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
C(tum)
650pF
Ekvivalenta
FS5KM-10-AW
Funktion
N MOSFET transistor
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
20A
Kanaltyp
N
Kostnad)
250pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
30W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
60 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
V-MOS (F)
Trr-diod (Min.)
2us
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Sanken