N-kanals transistor 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-kanals transistor 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
49.32kr
5-24
43.65kr
25-49
39.42kr
50-99
36.61kr
100+
35.49kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 4

N-kanals transistor 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.6 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 550pF. Funktion: POWER Switching MOSFET, industriell användning. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) min.: 2.5V. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kostnad): 115pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 30W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 35 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: MOSFET transistor. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1.3us. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Nec. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK3114
27 parametrar
ID (T=25°C)
4A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
1.6 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
550pF
Funktion
POWER Switching MOSFET, industriell användning
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) min.
2.5V
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Kostnad)
115pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
30W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
35 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
MOSFET transistor
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
1.3us
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Nec

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SK3114