N-kanals transistor 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

N-kanals transistor 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
8.98kr
5-24
7.12kr
25-49
6.43kr
50+
5.74kr
Antal i lager: 140

N-kanals transistor 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 160pF. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: ja. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 85pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: KE. Obs: screentryck/SMD-kod KE. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 120ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MOS FET. Temperatur: +150°C. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt från tillverkaren: ROHM. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK3065
30 parametrar
ID (T=100°C)
1.6A
ID (T=25°C)
2A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.32 Ohms
Hölje
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Hölje (enligt datablad)
SOT-89 ( MTP3 )
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
160pF
Funktion
Höghastighetsomkoppling
G-S Skydd
ja
Id(imp)
8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
85pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
KE
Obs
screentryck/SMD-kod KE
Pd (effektförlust, max)
0.5W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
120ns
Td(på)
20 ns
Teknik
MOS FET
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1.5V
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt från tillverkaren
ROHM