N-kanals transistor 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V

N-kanals transistor 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
49.53kr
5-9
43.83kr
10-24
37.23kr
25+
33.93kr
Antal i lager: 42

N-kanals transistor 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 700V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1850pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Effekt: 175W. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. G-S Skydd: ja. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. IDss (min): na. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kostnad): 400pF. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 140 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Trr-diod (Min.): 2.5us. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Hitachi. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2828
25 parametrar
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.9 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-3P
Spänning Vds(max)
700V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1850pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Effekt
175W
Funktion
Höghastighetsströmbrytare
G-S Skydd
ja
Grind/källa spänning (av) min.
2V
IDss (min)
na
Id(imp)
48A
Kanaltyp
N
Kostnad)
400pF
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
140 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
N-kanals MOSFET-transistor
Tf(min)
TO-3P ( TO3P )
Trr-diod (Min.)
2.5us
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Hitachi