N-kanals transistor 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-kanals transistor 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
51.95kr
5-9
47.50kr
10-24
44.45kr
25-49
41.97kr
50+
38.15kr
Antal i lager: 3

N-kanals transistor 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1100pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kostnad): 170pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 50W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 75 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: V-MOS. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2761
30 parametrar
ID (T=100°C)
5.5A
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
500uA
Resistans Rds På
1 Ohm
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1100pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsomkoppling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
N
Kostnad)
170pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
50W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
75 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
V-MOS
Trr-diod (Min.)
500 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Fuji Electric