N-kanals transistor 2SK2662, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.35 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 780pF. Funktion: High Speed Switching, Zener-Protected. G-S Skydd: ja. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kostnad): 200pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K2662. Pd (effektförlust, max): 35W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 60 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekttransistor (TT-MOS V). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31