N-kanals transistor 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V

N-kanals transistor 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
82.66kr
5-24
78.29kr
25-49
75.50kr
50+
72.64kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 3.19 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 450pF. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kostnad): 75pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K2647. Pd (effektförlust, max): 40W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 50 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2647
30 parametrar
ID (T=100°C)
4A
ID (T=25°C)
4A
Idss (max)
200uA
Resistans Rds På
3.19 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220F15
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
450pF
Funktion
Höghastighetsomkoppling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Kostnad)
75pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K2647
Pd (effektförlust, max)
40W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
50 ns
Td(på)
20 ns
Teknik
FAP-IIS Series MOS-FET
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
450 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Fuji Electric