N-kanals transistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

N-kanals transistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
17.64kr
5-24
14.58kr
25-49
13.48kr
50+
12.46kr
Antal i lager: 25

N-kanals transistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89 ( 2-5K1B ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 150pF. Funktion: Fälteffekttransistor. G-S Skydd: Dämpare. Id(imp): 6A. Kanaltyp: N. Kostnad): 70pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: ZA. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 150 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MOS-typ (L2.TT.MOSV). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2615
29 parametrar
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.33 Ohms
Hölje
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Hölje (enligt datablad)
SOT-89 ( 2-5K1B )
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
150pF
Funktion
Fälteffekttransistor
G-S Skydd
Dämpare
Id(imp)
6A
Kanaltyp
N
Kostnad)
70pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
ZA
Pd (effektförlust, max)
1.5W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
150 ns
Td(på)
30 ns
Teknik
MOS-typ (L2.TT.MOSV)
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
100 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba