N-kanals transistor 2SK2605, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1800pF. Funktion: High Speed, H.V. G-S Skydd: ja. Id(imp): 15A. Kanaltyp: N. Kostnad): 105pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 140 ns. Td(på): 80 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31