N-kanals transistor 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V

N-kanals transistor 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
35.42kr
5-24
30.80kr
25-49
28.81kr
50+
26.83kr
Antal i lager: 22

N-kanals transistor 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.046 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 900pF. Funktion: Yfs--8-16S. G-S Skydd: ja. IDss (min): 10uA. Id(imp): 75A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 130pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K2507. Pd (effektförlust, max): 30W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 110 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekt MOS-typ(L2-TT-MOSV). Temperatur: +150°C. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2507
30 parametrar
ID (T=25°C)
25A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.046 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
900pF
Funktion
Yfs--8-16S
G-S Skydd
ja
IDss (min)
10uA
Id(imp)
75A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
130pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K2507
Pd (effektförlust, max)
30W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
110 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
Fälteffekt MOS-typ(L2-TT-MOSV)
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba