N-kanals transistor 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1100pF. Driftstemperatur: -50...+150°C. Funktion: Bilelektronik. G-S Skydd: ja. Id(imp): 108A. Kanaltyp: N. Kostnad): 180pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K2314. Pd (effektförlust, max): 75W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: ESD Protected--2000V min. Td(av): 140us. Td(på): 30us. Teknik: Power Field-Effect Transistor. Trr-diod (Min.): 155 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03