N-kanals transistor 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V

N-kanals transistor 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
96.52kr
5-24
88.14kr
25-49
81.82kr
50+
78.22kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 1

N-kanals transistor 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 300uA. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 690pF. Funktion: Hög hastighet. G-S Skydd: nej. Id(imp): 15A. Kanaltyp: N. Kostnad): 120pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 150W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 210 ns. Td(på): 70 ns. Teknik: V-MOS. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2039
29 parametrar
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
5A
Idss (max)
300uA
Resistans Rds På
1.9 Ohms
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
TO-3PN
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
690pF
Funktion
Hög hastighet
G-S Skydd
nej
Id(imp)
15A
Kanaltyp
N
Kostnad)
120pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
150W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
210 ns
Td(på)
70 ns
Teknik
V-MOS
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
1450 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
1.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SK2039