N-kanals transistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V

N-kanals transistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
33.00kr
5-9
28.70kr
10-24
24.22kr
25+
21.60kr
Antal i lager: 25

N-kanals transistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 2.8 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3BP. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 700pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 3V. IDss (min): -. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kostnad): 300pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K1461. Pd (effektförlust, max): 120W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 200 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: V-MOS, S-L. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK1461
27 parametrar
ID (T=100°C)
2A
ID (T=25°C)
5A
Idss (max)
1mA
Resistans Rds På
2.8 Ohms
Hölje
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3BP
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
700pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Funktion
N MOSFET transistor
G-S Skydd
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
2V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
3V
Id(imp)
10A
Kanaltyp
N
Kostnad)
300pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K1461
Pd (effektförlust, max)
120W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
200 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
V-MOS, S-L
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo