N-kanals transistor 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

N-kanals transistor 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

Kvantitet
Enhetspris
1-2
226.20kr
3-4
215.43kr
5-9
189.95kr
10+
176.05kr
Antal i lager: 9

N-kanals transistor 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 4 Ohms. Hölje: TO-3PN 13-16A1A. Spänning Vds(max): 1400V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1800pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: Högspänningsomkoppling. Germanium diod: nej. Grind/källa spänning (av) max.: 3.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 1.5V. IDss (min): -. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kostnad): 500pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 240W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 220 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MOSFET transistor. Trr-diod (Min.): 1400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Nec. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03

2SK1271
26 parametrar
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
5A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
4 Ohms
Hölje
TO-3PN 13-16A1A
Spänning Vds(max)
1400V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1800pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Funktion
Högspänningsomkoppling
Germanium diod
nej
Grind/källa spänning (av) max.
3.5V
Grind/källa spänning (av) min.
1.5V
Id(imp)
10A
Kanaltyp
N
Kostnad)
500pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
240W
Port-/källspänning Vgs
20V
Td(av)
220 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
MOSFET transistor
Trr-diod (Min.)
1400 ns
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Nec