MJD45H11T4G

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	11.93kr	14.91kr
5 - 9	11.33kr	14.16kr
10 - 24	10.74kr	13.43kr
25 - 49	10.14kr	12.68kr
50 - 99	9.90kr	12.38kr
100 - 156	8.74kr	10.93kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	11.93kr	14.91kr
5 - 9	11.33kr	14.16kr
10 - 24	10.74kr	13.43kr
25 - 49	10.14kr	12.68kr
50 - 99	9.90kr	12.38kr
100 - 156	8.74kr	10.93kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 156

Set med 1

MJD45H11T4G. Kostnad): 45pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 85 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: 45H11G. Ekvivalenta: MJD45H11G, MJD45H11J. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Tf (typ): 140 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): DPAK CASE 369C. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJD45H11T4G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 13:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!