MJD44H11T4G

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	11.21kr	14.01kr
5 - 9	10.65kr	13.31kr
10 - 24	10.09kr	12.61kr
25 - 49	9.53kr	11.91kr
50 - 99	9.30kr	11.63kr
100 - 122	8.17kr	10.21kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	11.21kr	14.01kr
5 - 9	10.65kr	13.31kr
10 - 24	10.09kr	12.61kr
25 - 49	9.53kr	11.91kr
50 - 99	9.30kr	11.63kr
100 - 122	8.17kr	10.21kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 122

Set med 1

MJD44H11T4G. Kostnad): 45pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 85 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: 44H11G. Ekvivalenta: MJD44H11G, MJD44H11J. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Tf (typ): 140 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): DPAK CASE 369C. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJD45H11T4G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 13:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!