Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 375.35kr | 469.19kr |
2 - 2 | 356.58kr | 445.73kr |
3 - 4 | 337.81kr | 422.26kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 375.35kr | 469.19kr |
2 - 2 | 356.58kr | 445.73kr |
3 - 4 | 337.81kr | 422.26kr |
IXXK200N65B4. C(tum): 760pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Kollektorström: 480A. Ic(puls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1630W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 226 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Grind/sändarspänning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 12:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.