Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 130.92kr | 163.65kr |
2 - 2 | 124.38kr | 155.48kr |
3 - 4 | 117.83kr | 147.29kr |
5 - 5 | 111.28kr | 139.10kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 130.92kr | 163.65kr |
2 - 2 | 124.38kr | 155.48kr |
3 - 4 | 117.83kr | 147.29kr |
5 - 5 | 111.28kr | 139.10kr |
IXTH96N20P. C(tum): 4800pF. Kostnad): 1020pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 160 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 600W. Resistans Rds På: 24m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.