IXGR60N60C2

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	149.52kr	186.90kr
2 - 2	142.04kr	177.55kr
3 - 4	134.57kr	168.21kr
5 - 9	127.09kr	158.86kr
10 - 14	124.10kr	155.13kr
15 - 19	121.11kr	151.39kr
20 - 48	116.63kr	145.79kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	149.52kr	186.90kr
2 - 2	142.04kr	177.55kr
3 - 4	134.57kr	168.21kr
5 - 9	127.09kr	158.86kr
10 - 14	124.10kr	155.13kr
15 - 19	121.11kr	151.39kr
20 - 48	116.63kr	145.79kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 48

Set med 1

IXGR60N60C2. C(tum): 3900pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35ns. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 300A. Ic(T=100°C): 48A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 18 ns. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. obs: HiPerFAST IGBT transistor. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!