IXGH32N60BU1

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	200.79kr	250.99kr
2 - 2	190.75kr	238.44kr
3 - 4	180.71kr	225.89kr
5 - 9	170.67kr	213.34kr
10 - 14	166.66kr	208.33kr
15 - 19	162.64kr	203.30kr
20 - 23	156.62kr	195.78kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	200.79kr	250.99kr
2 - 2	190.75kr	238.44kr
3 - 4	180.71kr	225.89kr
5 - 9	170.67kr	213.34kr
10 - 14	166.66kr	208.33kr
15 - 19	162.64kr	203.30kr
20 - 23	156.62kr	195.78kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 23

Set med 1

IXGH32N60BU1. C(tum): 2700pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 120ns. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Kollektorström: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. CE-diod: ja. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!