Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 140.61kr | 175.76kr |
2 - 2 | 133.58kr | 166.98kr |
3 - 4 | 126.55kr | 158.19kr |
5 - 9 | 119.52kr | 149.40kr |
10 - 14 | 116.70kr | 145.88kr |
15 - 19 | 113.89kr | 142.36kr |
20 - 36 | 109.67kr | 137.09kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 140.61kr | 175.76kr |
2 - 2 | 133.58kr | 166.98kr |
3 - 4 | 126.55kr | 158.19kr |
5 - 9 | 119.52kr | 149.40kr |
10 - 14 | 116.70kr | 145.88kr |
15 - 19 | 113.89kr | 142.36kr |
20 - 36 | 109.67kr | 137.09kr |
IXGH24N60CD1. C(tum): 1500pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Funktion: HiPerFAST IGBT with Diode. Kollektorström: 48A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 24A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 15 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. obs: HiPerFAST IGBT transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.