IXFR200N10P

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	234.58kr	293.23kr
2 - 2	222.85kr	278.56kr
3 - 4	211.13kr	263.91kr
5 - 9	199.40kr	249.25kr
10 - 10	194.70kr	243.38kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	234.58kr	293.23kr
2 - 2	222.85kr	278.56kr
3 - 4	211.13kr	263.91kr
5 - 9	199.40kr	249.25kr
10 - 10	194.70kr	243.38kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 10

Set med 1

IXFR200N10P. C(tum): 7600pF. Kostnad): 2900pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!