IXFR120N20P

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	170.15kr	212.69kr
2 - 2	161.64kr	202.05kr
3 - 4	153.13kr	191.41kr
5 - 9	144.62kr	180.78kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	170.15kr	212.69kr
2 - 2	161.64kr	202.05kr
3 - 4	153.13kr	191.41kr
5 - 9	144.62kr	180.78kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 9

Set med 1

IXFR120N20P. C(tum): 9100pF. Kostnad): 2200pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. Id(imp): 480A. ID (T=25°C): 105A. Idss (max): 2uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 400W. Resistans Rds På: 17m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!