IRLR3110ZPBF

IRLR3110ZPBF. C(tum): 3980pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 34-51 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRLR3110ZPbF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. Resistans Rds På: 0.105 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 7.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 22:25.