IRFR3709Z

IRFR3709Z. C(tum): 2330pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. Resistans Rds På: 5.2m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funktion: Ultralågt på-motstånd, ultralåg grindimpedans. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 10:25.