IRFD9014

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	10.76kr	13.45kr
5 - 9	10.23kr	12.79kr
10 - 24	9.69kr	12.11kr
25 - 49	9.15kr	11.44kr
50 - 99	8.93kr	11.16kr
100 - 154	8.72kr	10.90kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	10.76kr	13.45kr
5 - 9	10.23kr	12.79kr
10 - 24	9.69kr	12.11kr
25 - 49	9.15kr	11.44kr
50 - 99	8.93kr	11.16kr
100 - 154	8.72kr	10.90kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 154

Set med 1

IRFD9014. C(tum): 270pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: P. Konditioneringsenhet: 100dB. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: FET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.8A. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 20:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!