IRFD210

IRFD210. C(tum): 140pF. Kostnad): 53pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 4.8A. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 14 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 20:25.