Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 17.90kr | 22.38kr |
5 - 9 | 17.01kr | 21.26kr |
10 - 24 | 16.11kr | 20.14kr |
25 - 49 | 15.22kr | 19.03kr |
50 - 56 | 14.86kr | 18.58kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 17.90kr | 22.38kr |
5 - 9 | 17.01kr | 21.26kr |
10 - 24 | 16.11kr | 20.14kr |
25 - 49 | 15.22kr | 19.03kr |
50 - 56 | 14.86kr | 18.58kr |
IRFD123. C(tum): 360pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 6.8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 20:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.