IRFBG30PBF

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	35.91kr	44.89kr
5 - 9	34.12kr	42.65kr
10 - 24	32.32kr	40.40kr
25 - 49	30.53kr	38.16kr
50 - 99	29.81kr	37.26kr
100 - 249	29.09kr	36.36kr
250 - 560	28.01kr	35.01kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	35.91kr	44.89kr
5 - 9	34.12kr	42.65kr
10 - 24	32.32kr	40.40kr
25 - 49	30.53kr	38.16kr
50 - 99	29.81kr	37.26kr
100 - 249	29.09kr	36.36kr
250 - 560	28.01kr	35.01kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 560

Set med 1

IRFBG30PBF. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFBG30PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 89 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 980pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 20:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!