IRF8707G

IRF8707G. C(tum): 760pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 12 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: IRF8707G. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 7.3 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 00:25.