IRF640NSTRLPBF

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	65.35kr	81.69kr
2 - 2	62.08kr	77.60kr
3 - 4	58.81kr	73.51kr
5 - 9	55.55kr	69.44kr
10 - 19	54.24kr	67.80kr
20 - 29	52.93kr	66.16kr
30 - 340	50.97kr	63.71kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	65.35kr	81.69kr
2 - 2	62.08kr	77.60kr
3 - 4	58.81kr	73.51kr
5 - 9	55.55kr	69.44kr
10 - 19	54.24kr	67.80kr
20 - 29	52.93kr	66.16kr
30 - 340	50.97kr	63.71kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 340

Set med 1

IRF640NSTRLPBF. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F640NS. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!