IRF640NPBF

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	12.40kr	15.50kr
5 - 9	11.78kr	14.73kr
10 - 24	11.16kr	13.95kr
25 - 49	10.54kr	13.18kr
50 - 99	10.29kr	12.86kr
100 - 249	10.04kr	12.55kr
250 - 1485	9.55kr	11.94kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	12.40kr	15.50kr
5 - 9	11.78kr	14.73kr
10 - 24	11.16kr	13.95kr
25 - 49	10.54kr	13.18kr
50 - 99	10.29kr	12.86kr
100 - 249	10.04kr	12.55kr
250 - 1485	9.55kr	11.94kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 1485

Set med 1

IRF640NPBF. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF640NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Kapsling (JEDEC-standard): 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!