IRF1310N

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	19.75kr	24.69kr
5 - 9	18.76kr	23.45kr
10 - 24	17.77kr	22.21kr
25 - 49	16.78kr	20.98kr
50 - 99	16.39kr	20.49kr
100 - 131	14.87kr	18.59kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	19.75kr	24.69kr
5 - 9	18.76kr	23.45kr
10 - 24	17.77kr	22.21kr
25 - 49	16.78kr	20.98kr
50 - 99	16.39kr	20.49kr
100 - 131	14.87kr	18.59kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 131

Set med 1

IRF1310N. C(tum): 1900pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!