IRC640

IRC640. C(tum): 130pF. Kostnad): 430pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 5. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): HexSense TO-220F-5. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 00:25.