IPD034N06N3GATMA1

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	34.00kr	42.50kr
5 - 9	32.30kr	40.38kr
10 - 24	30.60kr	38.25kr
25 - 49	28.90kr	36.13kr
50 - 52	28.22kr	35.28kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	34.00kr	42.50kr
5 - 9	32.30kr	40.38kr
10 - 24	30.60kr	38.25kr
25 - 49	28.90kr	36.13kr
50 - 52	28.22kr	35.28kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 52

Set med 1

IPD034N06N3GATMA1. C(tum): 8000pF. Kostnad): 1700pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 48 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 034N06N. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 167W. Resistans Rds På: 2.8m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 63 ns. Td(på): 38 ns. Teknik: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): PG-TO252-3 ( DPAK ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 23:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!