IPB80N06S2-08

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	26.56kr	33.20kr
5 - 9	25.23kr	31.54kr
10 - 24	23.90kr	29.88kr
25 - 49	22.58kr	28.23kr
50 - 99	22.05kr	27.56kr
100 - 218	21.51kr	26.89kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	26.56kr	33.20kr
5 - 9	25.23kr	31.54kr
10 - 24	23.90kr	29.88kr
25 - 49	22.58kr	28.23kr
50 - 99	22.05kr	27.56kr
100 - 218	21.51kr	26.89kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 218

Set med 1

IPB80N06S2-08. C(tum): 2860pF. Kostnad): 740pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N0608. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 215W. Resistans Rds På: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 32 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultralågt motstånd. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!