IPB80N06S2-07

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	34.81kr	43.51kr
5 - 9	33.07kr	41.34kr
10 - 24	31.33kr	39.16kr
25 - 49	29.59kr	36.99kr
50 - 99	28.89kr	36.11kr
100 - 100	28.19kr	35.24kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	34.81kr	43.51kr
5 - 9	33.07kr	41.34kr
10 - 24	31.33kr	39.16kr
25 - 49	29.59kr	36.99kr
50 - 99	28.89kr	36.11kr
100 - 100	28.19kr	35.24kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 100

Set med 1

IPB80N06S2-07. C(tum): 3400pF. Kostnad): 880pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N0607. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. Resistans Rds På: 5.6M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 61 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultralågt motstånd. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!