IPB80N03S4L-02

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	34.69kr	43.36kr
5 - 9	32.95kr	41.19kr
10 - 24	31.22kr	39.03kr
25 - 49	29.49kr	36.86kr
50 - 53	28.79kr	35.99kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	34.69kr	43.36kr
5 - 9	32.95kr	41.19kr
10 - 24	31.22kr	39.03kr
25 - 49	29.49kr	36.86kr
50 - 53	28.79kr	35.99kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 53

Set med 1

IPB80N03S4L-02. C(tum): 7500pF. Kostnad): 1900pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 4N03L02. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 136W. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 62 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultralågt motstånd. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 00:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!