IPB020N10N5LFATMA1

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	398.43kr	498.04kr
2 - 2	378.51kr	473.14kr
3 - 4	358.59kr	448.24kr
5 - 9	338.66kr	423.33kr
10 - 14	330.70kr	413.38kr
15 - 19	322.73kr	403.41kr
20 - 50	310.77kr	388.46kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	398.43kr	498.04kr
2 - 2	378.51kr	473.14kr
3 - 4	358.59kr	448.24kr
5 - 9	338.66kr	423.33kr
10 - 14	330.70kr	413.38kr
15 - 19	322.73kr	403.41kr
20 - 50	310.77kr	388.46kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 50

Set med 1

IPB020N10N5LFATMA1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 128 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 840pF. Maximal förlust Ptot [W]: 313W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!