IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2. C(tum): 785pF. Kostnad): 33pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 10uA. obs: helt isolerat hus (2500VAC/60s). Märkning på höljet: 8R1K0CE. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 32W. Resistans Rds På: 0.83 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 00:25.