IPA60R600E6

IPA60R600E6. C(tum): 440pF. Kostnad): 30pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. obs: helt isolerat hus (2500VAC/60s). Märkning på höljet: 6R600E6. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 28W. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 23:25.