Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

IKW75N60T

IKW75N60T
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 139.34kr 174.18kr
2 - 2 132.37kr 165.46kr
3 - 4 125.40kr 156.75kr
5 - 9 118.44kr 148.05kr
10 - 14 115.65kr 144.56kr
15 - 19 112.86kr 141.08kr
20 - 65 108.68kr 135.85kr
Kvantitet U.P
1 - 1 139.34kr 174.18kr
2 - 2 132.37kr 165.46kr
3 - 4 125.40kr 156.75kr
5 - 9 118.44kr 148.05kr
10 - 14 115.65kr 144.56kr
15 - 19 112.86kr 141.08kr
20 - 65 108.68kr 135.85kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 65
Set med 1

IKW75N60T. C(tum): 4620pF. Kostnad): 288pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 182 ns. Funktion: Mycket låg VCEsat. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Märkning på höljet: K75T60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 428W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 330 ns. Td(på): 33 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 23:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.