IKW50N60T

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	104.33kr	130.41kr
2 - 2	99.11kr	123.89kr
3 - 4	93.90kr	117.38kr
5 - 9	88.68kr	110.85kr
10 - 19	86.59kr	108.24kr
20 - 29	84.51kr	105.64kr
30 - 56	77.45kr	96.81kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	104.33kr	130.41kr
2 - 2	99.11kr	123.89kr
3 - 4	93.90kr	117.38kr
5 - 9	88.68kr	110.85kr
10 - 19	86.59kr	108.24kr
20 - 29	84.51kr	105.64kr
30 - 56	77.45kr	96.81kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 56

Set med 1

IKW50N60T. C(tum): 3140pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 143 ns. Funktion: Mycket låg VCEsat. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Märkning på höljet: K50T60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 333W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 299 ns. Td(på): 26 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!